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[单选题]

在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。

A.外延

B.热氧化

C.PVD

D.CVD

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更多“在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。”相关的问题

第1题

外延层的晶向与衬底的晶向相同。()
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第2题

如果衬底是(100)晶向,那么外延层也是(100)晶向。()
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第3题

硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
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第4题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第5题

单晶生长的晶向是由()决定的、写出你知道的硅晶体生长的三个不同的晶向()、()、()或()。

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第6题

在太阳能单晶的生产中,主要以拉制() 为主;其电阻率一般以()为主。

A、P型

B、N型

C、0.5~3Ωcm

D、3~6Ωcm

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第7题

低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。()
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第8题

单晶硅按晶体生长方法的不同,分为()、()和()。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄
膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

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第9题

当结晶性的高聚物从浓溶液中析出,或从熔体冷却结晶时,在不存在应力和流动的情况下,都倾向于生成()。 A.单

当结晶性的高聚物从浓溶液中析出,或从熔体冷却结晶时,在不存在应力和流动的情况下,都倾向于生成( )。

A.单晶 B.球晶 C.串晶

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第10题

在制剂工艺上,仿制药与原研药可能存在哪几方面的差异()。

A.药物晶型

B.旋光异构体

C.工艺杂质

D.成盐情况、辅料、制备工艺和制药设备等

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