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硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

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更多“硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?”相关的问题

第1题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第2题

气相色谱仪中,温度显示表头显示的温度值不是十分准确。()

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第3题

什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?
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第4题

液相外延是制备优良单晶磁性薄膜较为有效的方法。液相外延工艺生产周期短。用适当的方法可连续地外延性能重复的单品薄膜。()
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第5题

外延生长过程中影响量子点形貌最重要的两个因素是()。

A.衬底温度

B.材料组分和总量

C.生长速率

D.暴露时间

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第6题

以下哪一种不属于量子点的外延生长方法________?

A.离子束刻蚀法

B.MOCVD

C.化学气相沉积法

D.MBE

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第7题

单晶硅按晶体生长方法的不同,分为()、()和()。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄
膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

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第8题

以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料:()。

A.非晶硅(a-Si)

B.低温多晶硅(LTPS)

C.金属氧化物(Oxide)

D.单晶硅(Si)

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第9题

单晶生长的晶向是由()决定的、写出你知道的硅晶体生长的三个不同的晶向()、()、()或()。

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第10题

目前大多数集成电路生产中,所采用的基本材料为()

A.单晶硅

B.非晶硅

C.锑化钼

D.硫化镉

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第11题

采用晶体硅组件的示范项目补助标准为()元/瓦,采用非晶硅薄膜组件的为()元/瓦。

A.9;7

B.8;7

C.8;6

D.9;8

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