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[单选题]

在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是（）。

A.扩散运动

B.漂移运动

C.有序运动

D.同步运动

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发布时间：2022-07-09

更多“在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是（）。”相关的问题

第1题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第2题

将PN结两端加正向电压时，在PN结内参与导电的载流子是（)。

A.空穴

B.自由电子

C.自由电荷

D.均不参加

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第3题

发光二极管的工作与原理是：PN结在正向电压作用下，P区的空穴、N区的电子被驱赶到耗尽区，电子与空穴相遇复合，电子______，发出______。

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第4题

在室温下，锗的有效态密度N_C=1.05x10¹⁹cm^-3, N_V=5. 7x10¹⁸cm^-⊕

在室温下，锗的有效态密度N_C=1.05x10¹⁹cm^-3, N_V=5. 7x10¹⁸cm^-³，及E_g=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度N_D=5x10¹⁵cm^-³，受主浓度N_A=2x 10⁹cm^-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？

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第5题

异质结的超注入现象是指？（)

A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第6题

一个杂质原子就可提供一个自由电子，这种杂质半导体中电子浓度大大高于空穴浓度，主要依靠电子导电，故称()。

一个杂质原子就可提供一个自由电子，这种杂质半导体中电子浓度大大高于空穴浓度，主要依靠电子导电，故称（)。

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第7题

晶体三极管形成原理描述不正确的是（)。

A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低

B.到达基区的电子很容易穿过集电结

C.到达基区的空穴很容易穿过发射结

D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高

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第8题

PN结中多子的扩散运动和少子的漂移运动，都是直接由载流子浓度差所形成的。（)

此题为判断题(对，错)。

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第9题

对于本征半导体：（)

A.自由电子多于空穴数

B.自由电子和空穴成对出现

C.由电子和空穴浓度相同

D.自由电子和空穴数目相同

E.自由电子少于空穴数

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第10题

在半导体中导电是靠电子和空穴的移动来完成的，因此电子和空穴被称为载流子:那么在P型半导体中，空穴是（）载流子。

A、少数

B、多数

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