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[单选题]

异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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更多“异质结的超注入现象是指?()”相关的问题

第1题

关于pn结的注入特性,以下说法正确的是?()

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第2题

一束超声波斜入射至异质界面上时,有可能发生的现象是()

A.波型转换

B.折射

C.反射

D.以上都对

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第3题

在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()
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第4题

如果计入表面态的影响,当表面态为施主态,且态密度足够大时,关于异质结能带结构的描述,正确的是?()

A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系

B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

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第5题

利用两种半导体的异质结串联太阳能电池,称为()。
利用两种半导体的异质结串联太阳能电池,称为()。

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第6题

在合作学习时,要把学生分成异质小组,既有成绩好的,也有成绩差的。()

在合作学习时,要把学生分成异质小组,既有成绩好的,也有成绩差的。()

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第7题

关于群体结构中的同质和异质理解比较正确的是()。

A.在完成简单的任务时,同质结构的群体效率较高

B.在完成复杂的任务时,异质结构的群体有较高的效率

C.企业中的基层生产班组具有同质结构比较适当

D.领导班子中最好具有异质结构

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第8题

在进行分组教学时,为了形成既有合作又有竞争的良好学习氛围,我们应尽量做到()。

A.组间同质,组内异质

B.组间同质,组内同质

C.组间异质,组内异质

D.组间异质,组内同质

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第9题

产品差异化使购买者对价格差异的存在不甚敏感因此,在异质产品市场上,企业又较大的自由度决定产品价格()
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第10题

在异质界面上,当超声波()波的()角等于90℃时的()波()角称为第二临界角。
在异质界面上,当超声波()波的()角等于90℃时的()波()角称为第二临界角。

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