异质结的超注入现象是指?()
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
第1题
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
第4题
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
第7题
A.在完成简单的任务时,同质结构的群体效率较高
B.在完成复杂的任务时,异质结构的群体有较高的效率
C.企业中的基层生产班组具有同质结构比较适当
D.领导班子中最好具有异质结构